純度等級：核心指標，以 “N” 表示（1N=99%），區(qū)熔鍺錠主流為 6N~8N，高端半導(dǎo)體應(yīng)用需 9N 級超高純鍺錠，雜質(zhì)總量≤0.1ppm。
電學性能：電阻率（25℃時）需符合標準，6N 鍺錠電阻率通常為 47~53Ω?cm，純度越高電阻率越穩(wěn)定。
光纖通信領(lǐng)域：鍺錠加工為鍺粉或 GeCl?，作為光纖芯層的摻雜劑，可提升光纖的折射率和傳輸性能，是通信光纖的關(guān)鍵原料之一。
電子廠：電子廠回收：半導(dǎo)體藍膜，半導(dǎo)體鍍金硅片、鍍銀瓷片、壓敏電阻、薄膜開關(guān)，廢冷光片，背光源，廢銀漿、鈀漿、擦銀布、擦金布，銀漿罐、金漿罐、含鈀陶瓷片，含金陶瓷片，含銀的陶瓷片、銀焊條、銀焊絲、銀粉、導(dǎo)電銀膠，鍍金，鍍銀，鍍銠鍍鉑等廢料。
