半導(dǎo)體領(lǐng)域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積，在第三代半導(dǎo)體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。
超高密度成型：超高密度成型工藝（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空濺射過(guò)程中的穩(wěn)定性和使用壽命。
晶粒定向控制：晶粒定向控制技術(shù)能夠控制銦靶的晶粒尺寸和方向，提升濺射薄膜的質(zhì)量和性能，滿足高端應(yīng)用領(lǐng)域的需求。
良好的導(dǎo)電性：ITO 薄膜的電阻率可達(dá) 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿足各種電子設(shè)備的導(dǎo)電需求。
粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進(jìn)行預(yù)燒結(jié)，以獲得初步的靶材結(jié)構(gòu)。預(yù)燒結(jié)步驟通常在相對(duì)低溫下進(jìn)行，目的是通過(guò)部分熔融促進(jìn)粉末顆粒的結(jié)合，同時(shí)防止過(guò)早的晶粒長(zhǎng)大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關(guān)鍵一環(huán)。
