半導體領域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯層與鈍化層沉積，在第三代半導體器件制造中的滲透率持續攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。
良好的機械和熱學特性：硬度較高，在研磨、拋光過程中不易被劃傷，保證了薄膜表面的平整性；同時能夠承受較高的溫度而不發生分解或結構破壞，在高溫環境中的抗裂性和耐用性良好，確保了薄膜在濺射和高溫條件下的穩定性。
物理化學性能
物理性質：
密度：7.31 g/cm3，熔點 156.6℃，沸點 2080℃，常溫下可彎曲而不碎裂。
導電性：電導率約 1.1×10? S/m，僅次于銀、銅，適用于高頻電子元件。
化學性質：
常溫下在空氣中穩定，加熱至 100℃以上會氧化生成 In?O?；可溶于強酸（如鹽酸、硫酸），但在堿中穩定性較高。
小金屬：粗銦，精銦，銦靶材，粗鎵，金屬鎵99.99以及廢料。高價回收鎳片，銑刀， 數控刀片， 輕質數控刀，廢合金針，針尖，銦.銦絲.氧化銦.
高價回收鎳片，鎳泥，鎳催化劑，含鎳物料，銑刀， 數控刀片， 輕質數控刀，廢合金針，針尖，高價 回收 ( 鉭 ) 鉭絲 鉭粉 鉭電容 鉭鈮 鉭鎢 ，銦.銦絲.氧化銦.金.金屬鍺.鍺錠99.999等.
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