這兩個概念主要出半導體加工過程中，最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。
拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。
產品類型
硅材料
拋光液
藍寶石
拋光液
砷化鎵
拋光液
鈮酸鋰
拋光液
鍺拋光液
集成電路多次銅布線拋光液
集成電路阻擋層拋光液
多晶金剛石研磨液是利用多晶金剛石良好的韌性制成的研磨液，在研磨拋光過程中能夠保持高磨削力的同時不易產生劃傷，為后續精密拋光加工提供了良好的條件。廣泛用于光學晶體、陶瓷、超硬合金等各種硬質材料的研磨和拋光。