多晶金剛石拋光液
多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質產生劃傷。
主要應用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。
產品類型
硅材料
拋光液
藍寶石
拋光液
砷化鎵
拋光液
鈮酸鋰
拋光液
鍺拋光液
集成電路多次銅布線拋光液
集成電路阻擋層拋光液
半導體行業
CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業的急速發展，對拋光技術提出了新的要求，傳統的拋光技術（如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術。
氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經特殊工藝生產的一種高純度低金屬離子型拋光產品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光。如：硅片、化合物晶體、精密光學器件、寶石等的拋光加工。