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      氣相沉積SiC晶體粉源可用于PVT長晶

      2026-05-01 10:00   3493次瀏覽
      價 格: 面議

      SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的半導體材料。然而生長優質的SiC單晶非常困難,其中SiC粉源的顆粒度、純度、類型等各方面都極大地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。

      合能陽光提供的SiC高品質粉末,可充分滿足不同需求的客戶,為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。

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