SiC的物理和電學屬性使其成為短波長光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的半導體材料。然而生長優質的SiC單晶非常困難，其中要素就取決于SiC晶種的品質。晶種的類型、表面性質和吸附變化極大地影響著SiC晶體的生長類型、缺陷結構以及電學性質等等。
合能陽光提供的SiC晶種，可充分滿足不同需求的客戶，優質的晶種品質為客戶SiC長晶的成品率與晶片質量提供了可靠的保障。
氣相沉積碳化硅籽晶SiC晶種籽晶
2026-05-01 10:00 3319次瀏覽
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