拉單晶專用鎵摻雜劑（Ga Dopant）
鎵為IIIA族元素，原子量為69.72，英文名稱為Gallium,簡稱Ga。鎵質(zhì)軟，淡藍(lán)色光澤。熔點(diǎn)29.78℃。沸點(diǎn)2403℃。具有、不揮發(fā)、不燃、不爆炸等特性。是硅半導(dǎo)體摻雜的重要元素。
光衰減率≤2％屬于檢測范圍內(nèi)，可視為無衰減。正如拉制無位錯(cuò)單晶并非是零位錯(cuò)的，而是位錯(cuò)密度≤3000CM-2的單晶可視為無位錯(cuò)的。
用鎵代替硼作為摻雜劑來拉制太陽電池單晶，可以提高電池的轉(zhuǎn)換效率和降低光衰減問題（因?yàn)楸苊饬伺鹧鯊?fù)合體－嚴(yán)重影響光衰減率的深能級(jí)的產(chǎn)生）。
本公司提供進(jìn)口拉單晶專用鎵摻雜劑，包括以下品種：
7N進(jìn)口拉單晶專用鎵摻雜劑
8N進(jìn)口拉單晶專用鎵摻雜劑
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